عن خريطة الموقع |

Semiconductor Equipment Components -JiFeng Ceramics

المكونات الهيكلية الخزفية/

  1. بيت
  2. منتجات
  3. المكونات الهيكلية الخزفية
  4. مكونات معدات أشباه الموصلات
مكونات معدات أشباه الموصلات

مكونات معدات أشباه الموصلات

Semiconductor Equipment Components are manufactured from high-purity ceramics (Al₂O₃/AlN/SiC/Si₃N₄/ZrO₂) or special alloys (Invar/AlSiC) via precision machining and surface treatment. They meet the strict requirements of semiconductor manufacturing for cleanliness, مقاومة التآكل, والاستقرار الحراري, and are widely used in wafer handling, etching, deposition, lithography, and testing equipment.

إرسال الاستفسار
  • تفاصيل المنتج
  • المواصفات الفنية

Core Advantages Of Ceramic مكونات معدات أشباه الموصلات

Nanometer‑Level Precision

Flatness ≤0.005mm, خشونة السطح Ra<0.1μm, ideal for wafer transfer & lithography alignment.

مقاومة البيئة القصوى

درجة حرارة التشغيل 800-1600 درجة مئوية; plasma & مقاومة للأحماض/القلويات (الرقم الهيدروجيني 1-14); service life ×5+ vs metal.

Ultra-High Cleanliness

Metal ion leaching ≤1ppm; لا ذرف الجسيمات (NAS 1638 فصل 1); EUV & high-purity process compatible.

Excellent Thermal Management

AlN thermal conductivity ≥170W/m·K; CTE matches silicon (4.5×10⁻⁶/℃), reduces thermal stress.

التطبيقات النموذجية & Material Selection

1. Wafer Transport & يدعم

ويفر تشاك

مواد: الألومينا (آل₂O₃, purity ≥99.5%) or Silicon Carbide (كربيد كربيد, purity ≥99.9%).
أداء: Electrostatic adsorption force ≥0.1MPa, flatness ≤0.003mm, compatible with thinning and bonding of 12-inch wafers.

Vacuum Chamber Flange

مادة: نيتريد الألومنيوم (آل ن, thermal conductivity ≥170W/m·K).
أداء: Gas tightness ≤1×10⁻⁹ Pa·m³/s, suitable for etching and PVD equipment.

2. Gas Distribution & Reaction Control

Gas Distribution Plate

مادة: الإيتريا-زركونيا المستقرة (YSZ), resistant to plasma erosion.
أداء: Micropore diameter tolerance ±0.005mm, uniformity error ±2%.

Heater Base

مادة: كربيد السيليكون (كربيد كربيد), temperature resistance up to 1600°C.
أداء: Resistance uniformity ≤±1%, designed for MOCVD epitaxial growth.

3. Lithography & Inspection Equipment

EUV Optical Lens Base

مادة: Low-expansion Invar Alloy, CTE ≤1×10⁻⁶/°C.
أداء: Thermal stability ±0.01μm/°C, compatible with processes below 7nm.

Wafer Alignment Stage

مادة: Lightweight AlSiC ceramic composite.
أداء: Repeat positioning accuracy ±10nm, matches lithography focusing systems.

Why Partner with JiFeng Ceramics?

Material Selection

الألومينا / نيتريد الألومنيوم / كربيد السيليكون / Special Alloys, compatible with diverse semiconductor process requirements.

تحسين العملية

Precision grinding (tolerance ±0.001mm) and CVD coating for superior wear and plasma resistance.

التكامل الوظيفي

Embedded electrodes and sensors, matching intelligent temperature control and real-time monitoring systems.

ميزة التكلفة

Adopts domestic high-purity powder and machining technologies, بأسعار أقل بنسبة 30% إلى 50% من العلامات التجارية المستوردة.

غرضتفاصيل
مواد السيراميكSi₃N₄, آل₂O₃, زرو₂, آل ن, كربيد كربيد
Machining Accuracy± 0.01 ملم; Flatness 0.003mm; Parallelism 0.005mm
Key PropertiesWear-resistant, high temp resistant, صلابة عالية, العزل, anti-corrosion
Colorsأبيض, beige, black
التخصيصCustomizable per customer drawing

السابق:

التالي:

المنتجات ذات الصلة

المنتجات الساخنة

واتساب 8617783589933

ترك رسالة ترك رسالة

ترك رسالة