Composants d'équipement semi-conducteur -JiFeng Ceramics

Principaux avantages de la céramique Composants d'équipement semi-conducteur

Précision de niveau nanométrique

Planéité ≤0,005 mm, rugosité de surface Ra≤0,1 μm, idéal pour le transfert de plaquettes & alignement de lithographie.

Résistance aux environnements extrêmes

Température de fonctionnement 800–1 600 °C; plasma & résistant aux acides/alcalis (pH 1 à 14); durée de vie ×5+ par rapport au métal.

Ultra-haute propreté

Lixiviation des ions métalliques ≤1 ppm; pas de perte de particules (NAS 1638 Classe 1); EUV & compatible avec les procédés de haute pureté.

Excellente gestion thermique

Conductivité thermique AlN ≥170W/m·K; Le CTE correspond au silicium (4.5×10⁻⁶/℃), réduit le stress thermique.

Applications typiques & Sélection des matériaux

1. Transport de plaquettes & Soutien

Mandrin à plaquettes

Matériels: Alumine (Al₂O₃, pureté ≥99,5%) ou carbure de silicium (SiC, pureté ≥99,9 %).
Performance: Force d'adsorption électrostatique ≥0,1MPa, planéité ≤0,003 mm, compatible avec l'amincissement et le collage de tranches de 12 pouces.

Bride de chambre à vide

Matériel: Nitrure d'aluminium (AIN, conductivité thermique ≥170W/m·K).
Performance: Etanchéité aux gaz ≤1×10⁻⁹ Pa·m³/s, adapté aux équipements de gravure et PVD.

2. Distribution de gaz & Contrôle de réaction

Plaque de distribution de gaz

Matériel: Zircone stabilisée à l'yttria (YSZ), résistant à l'érosion plasmatique.
Performance: Tolérance du diamètre des micropores ± 0,005 mm, erreur d'uniformité ±2 %.

Socle chauffant

Matériel: Carbure de silicium (SiC), résistance à la température jusqu'à 1600°C.
Performance: Uniformité de la résistance ≤ ± 1 %, conçu pour la croissance épitaxiale MOCVD.

3. Lithographie & Équipement d'inspection

Base de lentille optique EUV

Matériel: Alliage Invar à faible expansion, ETC ≤1×10⁻⁶/°C.
Performance: Stabilité thermique ±0,01μm/°C, compatible avec les processus inférieurs à 7 nm.

Étape d'alignement des plaquettes

Matériel: Composite céramique AlSiC léger.
Performance: Précision de positionnement répétée ± 10 nm, correspond aux systèmes de focalisation lithographiques.

Pourquoi s'associer avec JiFeng Ceramics?

Sélection des matériaux

Alumine / Nitrure d'aluminium / Carbure de silicium / Alliages spéciaux, compatible avec diverses exigences de processus de semi-conducteurs.

Optimisation des processus

Meulage de précision (tolérance ±0,001 mm) et revêtement CVD pour une résistance supérieure à l'usure et au plasma.

Intégration fonctionnelle

Électrodes et capteurs intégrés, associer des systèmes intelligents de contrôle de la température et de surveillance en temps réel.

Avantage de coût

Adopte des technologies nationales de poudre et d'usinage de haute pureté, avec des prix 30 à 50 % inférieurs à ceux des marques importées.

Article	Détails
Matériaux Céramiques	Si₃N₄, Al₂O₃, ZrO₂, AIN, SiC
Précision d'usinage	±0,01mm; Planéité 0,003 mm; Parallélisme 0,005 mm
Propriétés clés	Résistant à l'usure, résistant aux hautes températures, haute dureté, isolation, anticorrosion
Couleurs	Blanc, beige, noir
Personnalisation	Personnalisable par dessin client