Komponenten für Halbleitergeräte

Kernvorteile von Keramik Komponenten für Halbleiterausrüstung

Präzision im Nanometerbereich

Ebenheit ≤0,005 mm, Oberflächenrauheit Ra≤0,1μm, Ideal für den Wafertransfer & Ausrichtung der Lithographie.

Extreme Umweltbeständigkeit

Betriebstemperatur 800–1600 °C; Plasma & Säure-/Laugenbeständig (pH-Wert 1–14); Lebensdauer ×5+ gegenüber Metall.

Ultrahohe Sauberkeit

Metallionenauswaschung ≤1 ppm; keine Partikelabgabe (NAS 1638 Klasse 1); EUV & hochrein, prozessverträglich.

Ausgezeichnetes Wärmemanagement

AlN-Wärmeleitfähigkeit ≥170 W/m·K; CTE entspricht Silizium (4.5×10⁻⁶/℃), reduziert thermische Belastung.

Typische Anwendungen & Materialauswahl

1. Wafertransport & Unterstützung

Waffelfutter

Materialien: Aluminiumoxid (Al₂O₃, Reinheit ≥99,5 %) oder Siliziumkarbid (SiC, Reinheit ≥99,9 %).
Leistung: Elektrostatische Adsorptionskraft ≥0,1 MPa, Ebenheit ≤0,003 mm, Kompatibel mit dem Ausdünnen und Bonden von 12-Zoll-Wafern.

Vakuumkammerflansch

Material: Aluminiumnitrid (AlN, Wärmeleitfähigkeit ≥170W/m·K).
Leistung: Gasdichtheit ≤1×10⁻⁹ Pa·m³/s, Geeignet für Ätz- und PVD-Geräte.

2. Gasverteilung & Reaktionskontrolle

Gasverteilungsplatte

Material: Yttriumstabilisiertes Zirkonoxid (YSZ), beständig gegen Plasmaerosion.
Leistung: Toleranz des Mikroporendurchmessers ±0,005 mm, Gleichmäßigkeitsfehler ±2 %.

Heizungsbasis

Material: Siliziumkarbid (SiC), Temperaturbeständigkeit bis 1600°C.
Leistung: Widerstandsgleichmäßigkeit ≤±1 %, Entwickelt für MOCVD-Epitaxiewachstum.

3. Lithografie & Inspektionsausrüstung

Basis für optische EUV-Linsen

Material: Invar-Legierung mit geringer Ausdehnung, WAK ≤1×10⁻⁶/°C.
Leistung: Thermische Stabilität ±0,01 μm/°C, kompatibel mit Prozessen unter 7 nm.

Wafer-Ausrichtungsphase

Material: Leichter AlSiC-Keramikverbundstoff.
Leistung: Wiederholgenauigkeit der Positionierung ±10 nm, passend zu Lithographie-Fokussiersystemen.

Warum mit JiFeng Ceramics zusammenarbeiten??

Materialauswahl

Aluminiumoxid / Aluminiumnitrid / Siliziumkarbid / Sonderlegierungen, kompatibel mit verschiedenen Halbleiterprozessanforderungen.

Prozessoptimierung

Präzisionsschleifen (Toleranz ±0,001 mm) und CVD-Beschichtung für überlegene Verschleiß- und Plasmabeständigkeit.

Funktionale Integration

Eingebettete Elektroden und Sensoren, passende intelligente Temperaturregelung und Echtzeit-Überwachungssysteme.

Kostenvorteil

Verwendet inländische hochreine Pulver- und Bearbeitungstechnologien, mit 30–50 % niedrigeren Preisen als bei importierten Marken.

Artikel	Details
Keramische Materialien	Si₃N₄, Al₂O₃, ZrO₂, AlN, SiC
Bearbeitungsgenauigkeit	±0,01 mm; Ebenheit 0,003 mm; Parallelität 0,005 mm
Schlüsseleigenschaften	Verschleißfest, hochtemperaturbeständig, hohe Härte, Isolierung, Korrosionsschutz
Farben	Weiß, Beige, Schwarz
Anpassung	Anpassbar je nach Kundenzeichnung